坐在周政左手边的一个年轻女研究员开口了。

    

    短头发，说话很快。

    

    碳管阵列生长工艺负责人，林恩恩。

    

    “打个比方。硅基晶体管的电子跑起来像在泥地里走路，碳管里的电子像在冰面上滑。

    

    同样的距离，一个喘得要死，一个根本没出汗。”

    

    方墨在角落里轻声嘀咕了一句：“冰面上打冰壶。”

    

    林恩恩看了他一眼，没理。

    

    “载流子饱和速度四乘十的七次方厘米每秒，硅的四倍。”

    

    周政切到下一页，“更关键的是，碳管的一维超薄体结构天然压制短沟道效应。

    

    硅基芯片缩到三纳米以下，量子隧穿漏电堵都堵不住，得靠GAA环栅、背面供电这些复杂架构去兜。

    

    碳管不用。物理结构本身就是答案。”

    

    “所以我们在七纳米节点，用的是最简单的平面顶栅结构。”

    

    陈阳问：“器件架构说一下。”

    

    周政右手边的人接过话。

    

    瘦高个，四十出头，左手无名指缠着创可贴——大概是调试设备时划的。

    

    器件架构与集成负责人，陈锋。

    

    跟陈阳同姓，但没有亲戚关系。

    

    “无掺杂CMOS。”

    

    陈锋把投影切到器件截面图，“硅基芯片造P型和N型晶体管，得靠离子注入往硅里面砸掺杂原子。

    

    温度上千度，而且砸进去的原子分布不均匀，直接影响器件一致性。”

    

    “我们不掺杂。P型管用钯做源漏电极，N型管用钪。

    

    金属功函数不一样，电子注入行为不一样，晶体管极性就分开了。”

    

    他翻到下一张图，是一组对比数据。

    

    “免掺杂带来两个好处。第一，没有离子注入造成的晶格损伤，器件寿命延长三倍以上。

    

    第二，阈值电压一致性提升一个数量级。

    

    直接反映在良率上——我们首批试产的良率是百分之九十二点三。”

    

    苏清妍的笔停了一下，抬头看了陈阳一眼。

    

    百分之九十二点三。

    

    台积电三纳米工艺刚量产时的良率不到百分之八十。

    

    陈阳没有表态，示意继续。

    

    第三个人站起来。

    

    矮胖，说话带江浙口音。

    

    碳管提纯与材料负责人，何建宏。

    

    天奈科技并入的技术骨干。

    

    “原料是整条工艺链的命门。”

    

    何建宏打开自己的笔记本电脑，屏幕上是一组纯度检测报告。

    

    “半导体型碳管纯度要求六个九——百分之九十九点九九九九。少一个九，芯片就会出现随机逻辑错误。

    

    这个指标在三年前全世界没有人能做到公斤级量产。”

    

    “现在能做到。”

    

    他指着报告上的数字，

    

    “凝胶色谱法提纯，六台设备并联，日产量两公斤。

    

    管径偏差控制在零点二纳米以内，带隙零点五到零点七电子伏特，无金属催化剂残留。”

    

    “两公斤够造多少片晶圆？”陈阳问。

    

    “八英寸晶圆，每天两公斤碳管大约支撑四百片。”

    

    何建宏答得很快，“六条产线全开的话日需十二公斤，提纯设备还得扩三倍。

    

    但这只是工程放量的问题，技术上没有瓶颈了。”

    

    陈阳转头看方墨。

    

    方墨点了下头，意思是数据跟伏羲的交叉验证结果一致。

    

    “衬底呢？”

    

    “八英寸高阻单晶硅，表面热氧化二百八十纳米二氧化硅绝缘层。”

    

    何建宏摆手，“这个不值得说，跟普通硅基晶圆一模一样，国内几十家厂能供。”

    

    第四个人没等被点名就开口了。

    

    三十出头，穿着蓝色冲锋衣，看着不像搞科研的。

    

    光刻与图形化工艺负责人，许哲。

    

    “各位最关心的问题——不用EUV怎么做七纳米。”

    

    许哲把投影抢过来，切到一张工艺流程图。

    

    “ArF浸没式DUV，波长一百九十三纳米。单次曝光分辨率极限是三十八纳米。

    

    七纳米怎么做？

    

    四重曝光。

    

    一层图形拆成四次来印。”

    

    “麻烦吗？”

    

    他自问自答，“确实麻烦，光刻步骤比EUV多三倍，套刻精度要求正负一点七纳米。

    

    但上海微电子最新的SSA800-10可以做到。”

    

    “成本呢？”

    

    秦风终于放下水杯，问了个商人该问的问题。

    

    许哲咧嘴笑了一下——难得，这间屋子里终于有人问他懂的东西了。

    

    “一台EUV光刻机，ASML报价二十亿人民币起，交期三年，想买还不一定卖你。

    

    一台SSA800，报价一点二亿，交期四个月，管够。

    

    四重曝光损失的产能用机台数量补回来，综合成本只有EUV方案的三分之一。”

    

    “而且——”他竖起食指，“不受任何国家的出口管制。”

    

    会议室里安静了两秒。

    

    这句话的分量不需要任何人解释。

    

    最后一个人始终没站起来，坐在角落里翻着平板。

    

    周政看了他一眼：“老吕，到你了。”

    

    吕远山，封测与可靠性负责人。

    

    华天科技过来的老工程师，五十多岁，头发全白，手上有茧子。

    

    他把平板往桌上一放，屏幕朝上，上面是一张性能对标表。

    

    “别的我不多说。直接跟台积电N2对比。”

    

    他声音不大，但在场所有人都竖起了耳朵。

    

    “晶体管密度，我们两点一亿每平方毫米，台积电N2是一点八三亿。

    

    高百分之十四点七。够到硅基一点八纳米节点的水平。”

    

    “开关速度，门延时零点零八皮秒，N2的三点二倍。

    

    同架构峰值频率提升百分之两百二十。”

    

    秦风的嘴张开了。

    

    “功耗。同性能下，动态功耗是N2的四分之一。

    

    静态漏电功耗，十分之一。”

    

    吕远山用手指点着平板上的数字，一个一个念。

    

    “综合能效比，算力除以瓦数，是N2的四点五倍。

    

    能量延迟积——这是集成电路领域最硬的综合能效指标——我们是N2的五分之一。”

    

    “翻译成人话。”吕远山抬起头，看着陈阳。

    

    “同样大小的芯片，我们的算力是台积电最先进工艺的三点五倍。

    

    如果做AI专用张量芯片，算力密度是五倍，功耗还低四分之三。”

    

    “还有一条。”他放下平板，“工作结温上限两百度。硅基商用上限一百二十五度。抗电离辐射能力是硅基的十二倍。”

    

    “意味着什么？这玩意儿扔到太空里，扔到沙漠里，扔到核反应堆旁边，照样跑。”

    

    会议室里没声音了。

    

    苏清妍的笔记本上写了满满两页，最后几行字越写越潦草——不是她不认真，是手跟不上脑子。

    

    方墨从角落走出来，站到投影前。

    

    “我补一条。”他推了推眼镜，“伏羲现在跑在硅基超算集群上，满血版性能是雅典娜的五分之一。”

    

    他看向陈阳。

    

    “如果把伏羲迁移到碳基芯片集群上——同规模算力卡的情况下——单卡性能翻三到五倍。

    

    同时功耗降到四分之一，意味着同样的电力预算下可以部署四倍数量的算力卡。”

    

    “综合下来。”方墨在白板上写了一个乘法式。

    

    “3.5×4=14。”

    

    “理论峰值算力提升十四倍。”

    

    “伏羲下一代迭代版本，如果跑在碳基集群上——”

    

    他把笔帽盖上。

    

    “性能将是雅典娜的二点八倍。”

    

    陈阳站起来。

    

    他走到桌前，拿起那块碳黑色的芯片样品。

    

    指甲盖大小，八克重。

    

    他翻过来看了看背面，又看了看正面。